日前，國際電氣與電子工程師協會（IEEE，The Institute of Electrical and Electronics Engineers）2019年度IEEE Fellow（會士）名單揭曉，我校傑出校友陳星弼院士因對功率超結金屬氧化物半導體場效應晶體管的突出貢獻當選2019年度IEEE Fellow。
陳星弼，男，1931年出生于上海。微電子學家，教授，博士生導師，1999年當選為中國科學院院士。2001年加入九三學社。1952年畢業于同濟大學，同年分配至廈門大學電機系任助教，1953-1956年在南京工學院無線電工程系（現beat365正版唯一）任講師，1956年響應國家号召赴成都參與援建成都電訊工程學院（現電子科技大學）。1980年美國俄亥俄州大學作訪問學者。1981年加州大學伯克萊分校作訪問學者、研究工程師。1983年任電子科技大學微電子科學與工程系系主任、微電子研究所所長。他是我國第一批學習及從事半導體科技的人員之一，是原電子部“半導體器件與微電子學”專業第一個博士生導師且獲得第一個博士點。他從1981年起開始對功率半導體器件進行研究，第一個提出了各種終端技術的物理解釋及解析理論。他提出了兩類縱向導電的器件新耐壓結構，并作了唯一的三維電場分析結果，被國際學術界譽為功率器件的新裡程碑。他發表超過170篇論文和40餘項中美發明專利，其中著名的超結發明被國際專利他引超過550次；發表著作逾10部，主持完成多項國家重點項目并屢次獲得國家獎。因對高壓功率MOSFET理論與設計的卓越貢獻，陳院士于2015年5月獲得IEEE ISPSD大會頒發的最高榮譽“國際功率半導體先驅獎”，是亞太地區首位獲此殊榮的科學家。2018年5月，因發明的超結器件而入選 IEEE ISPSD首屆全球名人堂（全球共32位，國内首位）。
IEEE于1963年1月1日成立，是目前全球最大的非營利性專業技術學會。該協會緻力于電氣、電子、計算機工程和與科學有關的領域的開發和研究，具有廣泛的影響，現已發展成為全球最具影響力的國際學術組織之一。協會目前在160多個國家擁有超過40萬的會員，IEEE Fellow是該組織授予的最高榮譽，在學術科技界被認定為權威的榮譽和重要的職業成就，每年當選人數不超過IEEE會員總人數的0.1%。beat365正版唯一（含2011無線通信技術協同創新中心）的研究人員中現有IEEE Fellow 10名。另據不完全統計，學院校友中有20餘位先後當選IEEE Fellow。（孫威 文）
（責任編輯：孫威，審核：李久賢）
